RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
27
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2689
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link