RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
60
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
21
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3437
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link