RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,303.7
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
117
Wokół strony -266% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
117
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,094.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,303.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
3379
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link