RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
70
Wokół strony -192% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
3,071.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2256
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link