RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
63
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3857
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link