RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
91
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.1
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
91
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1214
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link