RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
63
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2497
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link