RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
68
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2319
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link