RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2833
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link