RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
47
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
47
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2401
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link