RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
58
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2591
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link