RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
87
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3075
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link