RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
87
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3849
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link