RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
87
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2889
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link