RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
53
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2769
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link