RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
2591
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link