RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
56
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
1,925.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,315.2
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,925.7
9.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
658
2361
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparações de RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link