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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
52
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
4200
Por volta de 6.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
48
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
4200
25600
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2852
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology 16GB
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