RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
66
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
7.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2493
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link