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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3038
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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