RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
15.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3648
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link