RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparar
AMD AE34G2139U2 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Pontuação geral
AMD AE34G2139U2 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD AE34G2139U2 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
56
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
5.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
34
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.6
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1462
2902
AMD AE34G2139U2 4GB Comparações de RAM
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link