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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Comparar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
48
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
48
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2634
2466
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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