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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
47
Por volta de -161% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
9.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
18
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
17.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2323
3814
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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