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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
66
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
66
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
1912
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
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