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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
45
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
9.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
12.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2079
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
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