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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
35
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2782
2841
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparações de RAM
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
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