Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Pontuação geral
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16 left arrow 14.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.3 left arrow 9.3
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 34
    Por volta de -36% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    34 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.0 left arrow 14.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.3 left arrow 9.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2782 left arrow 2340
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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