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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Pontuação geral
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razões a considerar
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
38
Por volta de -90% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
15.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2099
3395
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
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