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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Razões a considerar
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
37
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
2591
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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