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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
2709
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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