RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
18.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
3731
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link