Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 28
    Por volta de 14% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.5 left arrow 13.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.0 left arrow 10.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
    Por volta de 1.13% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    24 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.5 left arrow 13.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    11.0 left arrow 10.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2445 left arrow 2354
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações