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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
52
Por volta de 56% menor latência
Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
2472
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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