RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Comparar
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Pontuação geral
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
40
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
40
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
9.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2282
2462
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Comparações de RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link