RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.8
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
5.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
31
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.8
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
12800
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1423
1920
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link