RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Comparar
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Pontuação geral
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
65
Por volta de -160% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
4.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
25
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
4.2
14.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
985
3297
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparações de RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-8GZH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link