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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2014
2545
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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