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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2014
2663
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
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