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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Comparar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
38
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
9.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
38
Velocidade de leitura, GB/s
19.4
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
15.8
9.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3614
2434
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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