RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
2544
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link