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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
80
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
80
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
1882
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
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Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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