RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
65
Por volta de -171% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
17.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
4069
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link