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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
68
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,636.8
2,120.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
49
68
Velocidade de leitura, GB/s
4,879.6
4,540.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,120.4
2,636.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
6400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
840
827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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