Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Pontuação geral
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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    49 left arrow 68
    Por volta de 28% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,636.8 left arrow 2,120.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 5300
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    49 left arrow 68
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,879.6 left arrow 4,540.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,120.4 left arrow 2,636.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    840 left arrow 827
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