RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2912
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link