RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
24
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3936
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link