RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
18.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
4164
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link