RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
24
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2675
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link