RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
45
Por volta de 47% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3% maior largura de banda
Razões a considerar
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,426.3
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR2
Latência em PassMark, ns
24
45
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
5,760.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
2,426.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1210
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB Comparações de RAM
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link