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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
16
27
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.1
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.6
6.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
16
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
22.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.2
18.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
3906
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparações de RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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